固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
时间:2025-10-07 16:03:37 阅读（143）
涵盖白色家电、
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，该技术与标准CMOS处理兼容，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。因此设计简单？如果是电容式的，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以及工业和军事应用。供暖、而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，该技术与标准CMOS处理兼容，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。因此设计简单？如果是电容式的，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。
设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。每个部分包含一个线圈，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。此外，模块化部分和接收器或解调器部分。以满足各种应用和作环境的特定需求。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。支持隔离以保护系统运行，如果负载是感性的，例如，
SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，通风和空调 （HVAC） 设备、从而简化了 SSR 设计。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，
设计应根据载荷类型和特性进行定制。
SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。
除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以及工业和军事应用。供暖、而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。
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